典型文献
制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响
文献摘要：
为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC.研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响.结果 发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度.设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围.生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105～143μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值.
文献关键词：
多层陶瓷电容器;薄介质;介电强度;击穿电压;预烧;碳残留;生倒
中图分类号：
作者姓名：
陆亨
作者机构：
广东风华高新科技股份有限公司新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,广东肇庆526020
文献出处：
引用格式：
[1]陆亨-.制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响)[J].电子工艺技术,2022(01):26-28,35
A类：
碳残留
B类：
制备工艺,薄介质,MLCC,介电强度,电子设备,高容量,高耐电压,多层陶瓷电容器,温度补偿,瓷粉,电极浆料,生倒,生坯,致密性,加湿,湿气,预烧温度,符合要求,圆角半径,渗入,击穿电压
AB值：
0.275907
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
