典型文献
多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析
文献摘要：
为分析多层瓷介高压电容器因空洞缺陷引起畸变电场的影响趋势以及引发电击穿的机制,根据麦克斯韦边值关系理论,利用有限元仿真分析了空洞大小和不同介电常数对畸变电场的影响趋势.结果表明,畸变电场随空洞的增大呈幂函数增长趋势,介电常数的增大也会导致畸变电场增大,但会逐渐趋于平稳,畸变电场最多能达到均匀场强区域的1.4倍,因此,空洞大小是导致畸变电场增加的主要影响因素.利用能带理论对畸变电场引发电击穿的机制进行了解释.分析结果对进一步研究空洞缺陷影响电介质材料击穿性能的机制,以及根据实际应用需求研究制定不同种类电介质材料空洞缺陷大小的量化判据有一定参考意义.
文献关键词：
畸变电场;麦克斯韦边值关系;有限元;空洞;介电常数;能带理论
中图分类号：
作者姓名：
梁栋程;王淑杰;季航
作者机构：
中国工程物理研究院 计量测试中心, 四川 绵阳 621999
文献出处：
引用格式：
[1]梁栋程;王淑杰;季航-.多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析)[J].电子元件与材料,2022(12):1374-1379
A类：
麦克斯韦边值关系
B类：
高压电,电容器,空洞缺陷,畸变电场,影响趋势,电击穿,关系理论,有限元仿真分析,介电常数,幂函数,致畸,趋于平稳,均匀场,场强,能带理论,缺陷影响,电介质材料,击穿性能,应用需求,需求研究,研究制定,缺陷大小,判据
AB值：
0.205105
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