典型文献
表面活化室温键合技术研究进展
文献摘要：
随着半导体技术领域对低温晶圆键合技术的需求不断增长,表面活化键合(Surface activated bonding,SAB)技术开始被广泛研究.与其他键合方式相比,即使在室温下,表面活化键合也能完成牢固的键合,对于常规半导体、金属材料等非常有效.但对于SiO2、有机物等材料,标准的表面活化键合并不十分适用,限制了其在特定领域的应用.近年来,研究者们提出两种改进型表面活化室温键合技术,通过在表面活化时或活化后向材料表面沉积一层纳米中间层,将晶圆的直接键合转化为纳米中间层间的键合.在键合机理方面,重点分析了材料的表面活化机制、界面原子成键机制以及环境因素对键合强度的影响等.通过对前期研究的分析总结进一步对比了三种表面活化键合技术的优缺点,期望可以推动表面活化键合技术在半导体技术领域的进一步广泛应用.
文献关键词：
晶圆键合;键合界面;表面活化键合;室温
中图分类号：
作者姓名：
张洪泽;田野;孟莹;母凤文;王鑫华;刘新宇
作者机构：
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心 北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]张洪泽;田野;孟莹;母凤文;王鑫华;刘新宇-.表面活化室温键合技术研究进展)[J].机械工程学报,2022(02):136-146
A类：
表面活化键合
B类：
半导体技术,技术领域,晶圆键合,Surface,activated,bonding,SAB,金属材料,SiO2,特定领域,改进型,中间层,直接键合,键合机理,活化机制,成键,键合强度,前期研究,键合界面
AB值：
0.231227
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
