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2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)的真空沉积薄膜生长、形貌和界面电子结构
文献摘要：
两种材料的界面是物质交换和能量交换的场点,在电子器件中起着关键作用.同种材料可在不同基底材料上形成多种不同的薄膜形态,并展现不同的器件性能.本文综述了高迁移率有机小分子半导体2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)在不同的功能材料上的真空沉积薄膜生长、界面过程以及界面电子结构.C8-BTBT分子的薄膜生长取决于衬底与C8-BTBT以及C8-BTBT分子之间的相互作用.在原子级光滑衬底上,C8-BTBT薄膜一般以层状模式生长,而在粗糙衬底上,C8-BTBT薄膜倾向于岛状模式生长.在电介质、半导体和导电衬底上沉积的初始C8-BTBT分子层显示出略有不同的晶格结构.界面层C8-BTBT分子的取向取决于衬底与有机分子的相互作用,但是在厚膜情况下表面层终将改变为直立构型.C8-BTBT与电介质或高功函数导电材料接触时表现为电子供体,这通常会诱导出指向C8-BTBT的界面偶极层,以及C8-BTBT侧朝向界面的向上能带弯曲.尽管C8-BTBT具有空气稳定性,但仍会在某些过渡金属,如镍、钴和化合物界面发生化学反应.C8-BTBT界面电子结构与其薄膜形貌和分子取向有关,当膜厚增加、分子取向从平躺到直立时,C-H会形成表面偶极层,导致电离能减小.本文提供了C8-BTBT的界面物理和化学过程的机制分析,并为基于C8-BTBT的电子器件的优化设计和制造提供参考.
文献关键词：
界面;薄膜形貌;组织构型;生长模式;电子结构;化学反应;界面偶极
中图分类号：
作者姓名：
魏俊华;牛冬梅;高永立
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]魏俊华;牛冬梅;高永立-.2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)的真空沉积薄膜生长、形貌和界面电子结构)[J].中南大学学报（英文版）,2022(04):1041-1061
A类：
界面偶极
B类：
辛基,苯并噻吩,C8,BTBT,薄膜生长,界面电子结构,物质交换,能量交换,场点,电子器件,基底材料,多种不同,器件性能,高迁移率,有机小分子,功能材料,界面过程,衬底,原子级,层状,电介质,略有不同,晶格结构,界面层,厚膜,下表面,表面层,终将,直立,功函数,导电材料,电子供体,朝向,有空,空气稳定性,过渡金属,物界,生化学,化学反应,薄膜形貌,分子取向,平躺,立时,致电,电离能,界面物理,化学过程,机制分析,组织构型,生长模式
AB值：
0.31324
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