典型文献
先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展
文献摘要：
Cu-Cu低温键合技术是先进封装的核心技术,相较于目前主流应用的Sn基软钎焊工艺,其互连节距更窄、导电导热能力更强、可靠性更优.文中对应用于先进封装领域的Cu-Cu低温键合技术进行了综述,首先从工艺流程、连接机理、性能表征等方面较系统地总结了热压工艺、混合键合工艺实现Cu-Cu低温键合的研究进展与存在问题,进一步地阐述了新型纳米材料烧结工艺在实现低温连接、降低工艺要求方面的优越性,概述了纳米线、纳米多孔骨架、纳米颗粒初步实现可图形化的Cu-Cu低温键合基本原理.结果表明,基于纳米材料烧结连接的基本原理,继续开发出宽工艺冗余、窄节距图形化、优良互连性能的Cu-Cu低温键合技术是未来先进封装的重要发展方向之一.
文献关键词：
先进封装;混合键合;Cu-Cu键合;窄节距;烧结
中图分类号：
作者姓名：
王帅奇;邹贵生;刘磊
作者机构：
清华大学,北京,100084
文献出处：
引用格式：
[1]王帅奇;邹贵生;刘磊-.先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展)[J].焊接学报,2022(11):112-125
A类：
窄节距
B类：
先进封装,低温键合,Sn,软钎焊,钎焊工艺,互连,导热,热能,连接机理,性能表征,热压工艺,混合键合,新型纳米材料,烧结工艺,低温连接,工艺要求,纳米线,纳米多孔,纳米颗粒,可图,图形化,结连
AB值：
0.277006
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
