典型文献
基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述
文献摘要：
随着SiC MOSFET的推广,其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视.有源栅极驱动(AGD)电路作为一种新型驱动电路,已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制.首先,该文分析AGD电路的工作原理,给出不同驱动参数对开关特性的影响;其次,着重探讨阈值触发型AGD电路的工作模式,分别从暂态定位技术、逻辑处理架构和功率放大拓扑三方面对AGD电路进行归纳总结,并评价不同技术的优缺点,给出AGD电路设计的建议流程;最后,展望基于SiC MOSFET开关轨迹优化的AGD电路的发展趋势.
文献关键词：
SiC MOSFET;有源栅极驱动;开关轨迹;振荡
中图分类号：
作者姓名：
王宁;张建忠
作者机构：
东南大学电气工程学院 南京 210096
文献出处：
引用格式：
[1]王宁;张建忠-.基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述)[J].电工技术学报,2022(10):2523-2537
A类：
开关轨迹,有源栅极驱动,暂态定位
B类：
轨迹优化,SiC,MOSFET,有源驱动,驱动电路,暂态过程,超调,电磁干扰问题,AGD,优化控制,开关特性,发型,定位技术,功率放大,电路设计
AB值：
0.201251
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