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溅射功率对α-Hf薄膜结构及其光电特性的影响
文献摘要：
利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备α-Hf薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及霍尔仪等仪器进行测试分析,表征了薄膜的物相结构、表面形貌、光学性能及电学性能.实验结果表明:制备的α-Hf薄膜是具有(002)晶面择优取向的六方结构.其结晶质量、晶粒尺寸、光反射率、电阻率等都与溅射功率密切相关.当溅射功率为50W时,α-Hf薄膜结构的致密性和表面平整性都有所提高,导电性更加优异.100W薄膜样品光反射率更大,这与薄膜表面结构相关.
文献关键词：
α-Hf薄膜;磁控溅射;溅射功率;光电特性
中图分类号：
作者姓名：
李石;田野
作者机构：
哈尔滨师范大学 物理与电子工程学院,黑龙江 哈尔滨150025
文献出处：
引用格式：
[1]李石;田野-.溅射功率对α-Hf薄膜结构及其光电特性的影响)[J].黑龙江工业学院学报（综合版）,2022(05):77-81
A类：
B类：
溅射功率,Hf,薄膜结构,光电特性,直流磁控溅射法,Si,衬底,紫外可见分光光度计,UV,Vis,霍尔,测试分析,物相结构,表面形貌,光学性能,电学性能,晶面,择优取向,六方,结晶质量,晶粒尺寸,光反射率,电阻率,50W,致密性,平整性,导电性,100W,表面结构
AB值：
0.338196
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