典型文献
单片集成MEMS三轴磁场传感器
文献摘要：
利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器.将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作.测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436％.当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γz,x为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γz,y为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49％.当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γx,z为44. 687 dB,对Y 轴磁场的交叉轴抑制比γx,y为41. 138 dB.
文献关键词：
三轴磁传感器;微机电系统;电磁感应;单片集成
中图分类号：
作者姓名：
付春末;熊斌;陆仲明;王文杰
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]付春末;熊斌;陆仲明;王文杰-.单片集成MEMS三轴磁场传感器)[J].传感器与微系统,2022(11):65-68
A类：
B类：
单片集成,MEMS,磁场传感器,利用微,微机电系统,法拉第电磁感应定律,工艺集成,成单,大气环境,2S,耦合器,开环,mT,非线性度,磁场测量,dB,三轴磁传感器
AB值：
0.213036
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