典型文献
基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究
文献摘要：
使用结构为42°Y-X LiTaO3(600 nm)/SiO2(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器.经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4000;滤波器的中心频率为1370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4％,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55～+85℃时优于-9×10-6/℃.该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性.
文献关键词：
SOI衬底;大带宽;横向模式;谐振器;声表面波滤波器
中图分类号：
作者姓名：
苗湘;闫坤坤;黄歆;姜靖雯;黄小东;王文
作者机构：
北京中科飞鸿科技股份有限公司,北京100095;中国科学院声学研究所,北京100190
文献出处：
引用格式：
[1]苗湘;闫坤坤;黄歆;姜靖雯;黄小东;王文-.基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究)[J].压电与声光,2022(05):718-721
A类：
声表面波滤波器
B类：
SOI,衬底,宽带,低损耗,使用结构,LiTaO3,SiO2,横向模式,单端,谐振器,和声,谐振频率,GHz,品质因数,中心频率,MHz,插入损耗,dB,相对带宽,阻带,温度系数,+85,低温漂,大带宽
AB值：
0.337532
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
