典型文献
InGaAs/InP雪崩光电二极管暗电流机理研究
文献摘要：
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管,讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响.研究表明,吸收层厚度影响热产生复合(shockley-read-hall,SRH)和缺陷辅助隧穿(trap-assisted tunneling,TAT)暗电流大小,而倍增层厚度则对TAT和直接隧穿(band-band tunneling,BBT)暗电流影响较大.少子寿命可以等效为缺陷的影响,因而对与缺陷相关的SRH和TAT暗电流影响较大.对暗电流机理的分析,为研究低暗电流高信噪比的雪崩器件提供良好的理论预测.
文献关键词：
InGaAs/InP雪崩光电二极管;暗电流;少子寿命;缺陷
中图分类号：
作者姓名：
李阳俊;邓艳;骆志刚;王文娟
作者机构：
吉首大学物理与机电工程学院,湖南吉首416000;中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;湖南第一师范学院物理与化学学院,湖南长沙410205
文献出处：
引用格式：
[1]李阳俊;邓艳;骆志刚;王文娟-.InGaAs/InP雪崩光电二极管暗电流机理研究)[J].应用激光,2022(04):181-185
A类：
shockley
B类：
InGaAs,InP,雪崩光电二极管,暗电流,吸收层厚度,少子寿命,倍增,厚度影响,热产,read,hall,SRH,trap,assisted,tunneling,TAT,band,BBT,高信噪比,理论预测
AB值：
0.266297
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