典型文献
基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器
文献摘要：
为了进一步提高多晶硅纳米薄膜压力传感器的性能,使用80 nm厚度的多晶硅纳米薄膜作为压力传感器的压敏电阻,设计制作了一款压力传感器.压力传感器制备封装完毕后,利用电学修正技术使多晶硅纳米薄膜压敏电阻更精确地匹配.对压力传感器的制备流程进行了完整描述,在25℃至200℃的温度范围内,测试了压力传感器的性能.压力传感器的满量程为0.6 MPa,在25℃和200℃时,灵敏度分别为22.19(mV/V)/MPa和18.30(mV/V)/MPa,在没有外界补偿的情况下,灵敏度的温度系数约为-0.10％/℃.在25℃和200℃时,失调分别是1.653 mV和1.615 mV,失调的温度系数约为-0.013％/℃.由于电学修正多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性和温度稳定性,压力传感器表现出较好的性能.
文献关键词：
压力传感器;多晶硅纳米薄膜;电学修正;压阻特性
中图分类号：
作者姓名：
陆学斌;孙伟;于斌
作者机构：
湖州职业技术学院物流与信息工程学院,浙江 湖州313000;湖州职业技术学院建筑工程学院,浙江 湖州313000;哈尔滨理工大学计算机科学与技术学院,黑龙江 哈尔滨150080
文献出处：
引用格式：
[1]陆学斌;孙伟;于斌-.基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器)[J].传感技术学报,2022(10):1335-1339
A类：
电学修正,多晶硅纳米薄膜
B类：
薄膜压力传感器,压敏电阻,设计制作,封装,装完,完毕,满量程,mV,温度系数,压阻特性,温度稳定性
AB值：
0.101828
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