典型文献
基于光泵浦-宽谱太赫兹时域光谱方法的少层MoTe2薄膜光电特性研究
文献摘要：
层状二维过渡金属硫属化合物是一类重要的二维层状半导体材料.其中MoTe2因其具有较小的禁带宽度和较高的载流子迁移率而备受关注.应用光泵浦-宽谱太赫兹时域光谱系统研究了少层MoTe2薄膜材料的宽谱太赫兹透射谱、光生载流子在皮秒尺度上的动力学过程及其光电导率的变化.应用空气等离子体产生宽谱太赫兹辐射并利用磷化镓晶体探测的方法测量了谱宽在0.2～7.2 THz范围内少层MoTe2薄膜的透过谱,发现其在3.6、4.6、6.4以及7 THz处存在吸收峰.应用800 nm脉冲光激发少层MoTe2薄膜,并测量其在皮秒时间尺度上的太赫兹光谱,得到少层MoTe2薄膜中光生载流子寿命约为1.6 ps.在此基础上进一步研究了不同泵浦-探测时间差下光电导率变化量的实部和虚部.发现随着延迟时间的增加,电导率变化量实部由约600 Ω-1cm-1到300 Ω-1cm-1逐渐降低,虚部值约为200Ω-1cm-1并不随泵浦-探测时间差而明显改变,这一结果表明少层MoTe2薄膜具有较高的电导率及较长的激子寿命.给出了少层MoTe2薄膜在0.2～7.2 THz波段的吸收谱、光生载流子演化过程及寿命以及少层MoTe2材料光电导率变化量等物理参数,对设计基于少层MoTe2材料的新型光电器件提供了参考.
文献关键词：
太赫兹时域光谱;层状过渡金属硫化物;电导率变化量;光泵浦;载流子寿命
中图分类号：
作者姓名：
张淼淼;王新柯;韩鹏;孙文峰;叶佳声;冯胜飞;张岩
作者机构：
首都师范大学物理系超材料与器件北京市重点实验室,北京100048
文献出处：
引用格式：
[1]张淼淼;王新柯;韩鹏;孙文峰;叶佳声;冯胜飞;张岩-.基于光泵浦-宽谱太赫兹时域光谱方法的少层MoTe2薄膜光电特性研究)[J].光学与光电技术,2022(04):89-95
A类：
电导率变化量
B类：
光泵浦,谱方法,MoTe2,光电特性,二维过渡金属,过渡金属硫属化合物,二维层状半导体材料,禁带宽度,载流子迁移率,太赫兹时域光谱系统,薄膜材料,光生载流子,皮秒,动力学过程,光电导率,太赫兹辐射,磷化镓,谱宽,THz,吸收峰,脉冲光,光激发,时间尺度,太赫兹光谱,载流子寿命,ps,时间差,差下,下光,延迟时间,1cm,激子,波段,吸收谱,物理参数,光电器件,层状过渡金属硫化物
AB值：
0.245239
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