典型文献
具有Cr阻挡层的GaAs欧姆接触工艺研究
文献摘要：
研究了金属Cr作为扩散阻挡层的GaAs欧姆接触技术,设计了 Au/Cr/AuGe/Ni和Ti/Cr/Au两种欧姆接触合金系统,并对Cr阻挡层厚度与退火条件进行了优化.研究结果表明:两种合金系统均可在380～480℃退火条件下形成欧姆接触,且Au/Cr/AuGe/Ni系统在420℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为2.63×10-6 Ω·cm2,相较于在相同基底上镀制的Au/Ni/AuGe/Ni合金系统比接触电阻率的最低值1.54×10-5Ω·cm2降低了近一个数量级,且具有更好的表面形貌;Ti/Cr/Au系统在440℃/60 s退火条件下的比接触电阻率为6.99×10-7Ω·cm2,且在420～460℃相对较宽的温度范围内均可获得低的比接触电阻率.
文献关键词：
材料;半导体器件;欧姆接触;扩散阻挡层;合金化;比接触电阻率
中图分类号：
作者姓名：
李博;李辉;李晓雪;闫昊;郝永芹
作者机构：
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022
文献出处：
引用格式：
[1]李博;李辉;李晓雪;闫昊;郝永芹-.具有Cr阻挡层的GaAs欧姆接触工艺研究)[J].中国激光,2022(11):37-46
A类：
AuGe
B类：
GaAs,欧姆接触,扩散阻挡层,Ti,退火条件,比接触电阻率,最低值,数量级,表面形貌,半导体器件,合金化
AB值：
0.111969
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