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795 nm高温高功率垂直腔面发射激光器及原子陀螺仪应用
文献摘要：
在传统的氧化物约束型的垂直腔面发射半导体激光器中,横向光限制主要取决于氧化层的厚度及其相对于腔内光驻波分布的位置.通过减少外延结构中氧化层与光场驻波分布之间的重叠,可以降低芯层与包层之间的有效折射率差,从而减少腔内可存在的横向模的数量,并增加横模向氧化物孔径之外的扩展.本文利用这一原理设计并制作了一个795 nm的大氧化孔径的垂直腔面发射激光器.器件在80℃下可实现4.1 mW的高功率单基模工作,最高边模抑制比为41.68 dB,最高正交偏振抑制比为27.46 dB.将VCSEL作为抽运源应用于核磁共振陀螺仪系统样机中,实验结果表面新设计的VCSEL可以满足陀螺系统的初步应用需求.
文献关键词：
垂直腔面发射半导体激光器;大氧化孔径;单基模;核磁共振陀螺仪
中图分类号：
作者姓名：
周寅利;贾雨棽;张星;张建伟;刘占超;宁永强;王立军
作者机构：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 发光学及应用国家重点实验室, 长春 130033;北京航空航天大学, 北京 100191;长春中科长光时空光电技术有限公司, 长春 130102
文献出处：
引用格式：
[1]周寅利;贾雨棽;张星;张建伟;刘占超;宁永强;王立军-.795 nm高温高功率垂直腔面发射激光器及原子陀螺仪应用)[J].物理学报,2022(13):183-190
A类：
垂直腔面发射半导体激光器,大氧化孔径,单基模,偏振抑制,核磁共振陀螺仪
B类：
高功率,垂直腔面发射激光器,原子陀螺仪,向光,氧化层,驻波,波分,光场,芯层,包层,有效折射率,横模,原理设计,mW,边模抑制比,dB,正交偏振,VCSEL,抽运,样机,初步应用,应用需求
AB值：
0.237688
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