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半导体激光器侧向模式控制技术的研究进展
文献摘要：
高功率半导体激光器在固体或光纤激光器泵浦、材料加工、激光雷达、空间通讯及国防等领域具有重大需求,但传统器件面临发散角大、光束质量差、亮度低的难题,限制了其直接应用.宽区半导体激光器具有输出功率和转换效率高的优点,但其侧向模式受多种物理效应的影响,高电流下激射模式数很大,导致远场宽度随电流增大迅速展宽,光束质量非常差,成为制约半导体激光亮度提高的关键瓶颈难题.因此,需要对半导体激光器的侧向模式进行控制.本文首先从半导体激光器的侧向模式影响机制出发,分析了其侧向模式特性及光场分布与器件结构的关联关系;接着,介绍了目前主要的侧向模式控制技术,通过抑制高阶模式及侧向远场展宽,实现光束质量的改善及激光亮度的提升.采用先进的侧向模式控制技术,可从芯片层次发展新型的高亮度半导体激光器,有利于拓展半导体激光器应用领域及降低应用成本,具有重要的研究意义.
文献关键词：
半导体激光;侧向模式;光束质量;高亮度;低发散角
中图分类号：
作者姓名：
汪丽杰;佟存柱;王延靖;陆寰宇;张新;田思聪;王立军
作者机构：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,吉林 长春 130033;吉光半导体科技有限公司, 吉林 长春 130031
文献出处：
引用格式：
[1]汪丽杰;佟存柱;王延靖;陆寰宇;张新;田思聪;王立军-.半导体激光器侧向模式控制技术的研究进展)[J].中国光学,2022(05):895-911
A类：
侧向模式,低发散角
B类：
模式控制,高功率半导体激光器,光纤激光器,泵浦,材料加工,激光雷达,重大需求,光束质量,接应,输出功率,转换效率,物理效应,流下,激射,致远,远场,展宽,光亮度,关键瓶颈,模式特性,光场分布,器件结构,关联关系,高阶模,片层,高亮度,研究意义
AB值：
0.203389
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