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磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析
文献摘要：
平面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的曲率半径不同会使磁流变抛光入口区域剪切力场发生变化.为了研究磁流变抛光入口区域剪切力场的形成机制,建立磁流变抛光过程中必要的流体模型,对入口区域的几何特征进行分析;通过数值计算平面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同曲率半径的影响,得到对应的剪切力分布.得出结论,当平面光学元件一定浸入深度逐渐增加时,抛光区域入口处的剪切力逐渐增大;当凸球面光学元件的一定浸入深度逐渐增加时,抛光区域入口处的剪切力逐渐增大;凸球面光学元件的曲率半径对剪切力无显著影响,不同曲率半径下的剪切力分布大致相同.
文献关键词：
流变抛光;剪切力场;几何特征;抛光区域
中图分类号：
作者姓名：
杨航;任福靖;张云飞;黄文;何建国;贾阳
作者机构：
遵义师范学院工学院,贵州遵义563006;中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳621900;华中光电技术研究所武汉光电国家实验室,湖北武汉430073
文献出处：
引用格式：
[1]杨航;任福靖;张云飞;黄文;何建国;贾阳-.磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析)[J].光学技术,2022(02):153-158
A类：
剪切力场
B类：
磁流变抛光,口区,面光,光学元件,浸入深度,球面,曲率半径,光过,流体模型,几何特征,加时,抛光区域,入口处,大致相同
AB值：
0.115517
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