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基于Kahan方法的磁流变抛光凸元件几何特性分析
文献摘要：
凸光学元件在磁流变抛光区域的几何特性对制造高精度、高表面完整性光学元件有重要影响,凸光学元件曲率、嵌入深度与角度的变化将引起磁流变抛光区域压力场的变化.为了研究凸光学元件不同的曲率、嵌入深度与嵌入角度下抛光区域的压力场,首先通过建立磁流变抛光过程中压力模型,对抛光区域的压力进行分析;其次基于Kahan数值方法建立了多场耦合积分的快速计算方法.最后,计算凸光学元件在不同曲率、嵌入深度及角度下得到磁流变抛光区域压力场分布,研究凸元件在磁流变抛光区域受几何特性影响的工艺规律;得出结论:在磁流变抛光过程中通过改变凸光学元件曲率、相同曲率下的嵌入深度以及角度的情况下,当加工凸元件曲率增大时,磁流变抛光区域压力场会随之增大;当凸元件曲率一定、嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光区域压力场会增大;当凸元件曲率一定、嵌入角度增加时,磁流变抛光区域压力场会随角度先增大再减小.
文献关键词：
Kahan方法;磁流变抛光;压力场;凸光学元件;几何特性
中图分类号：
作者姓名：
杨航;佘娜;张云飞;黄文;贾阳
作者机构：
遵义师范学院工学院,贵州 遵义,563006;中国工程物理研究院 机械制造工艺研究所,四川 绵阳,621900;华中光电技术研究所 武汉光电国家实验室,湖北 武汉,430073
文献出处：
引用格式：
[1]杨航;佘娜;张云飞;黄文;贾阳-.基于Kahan方法的磁流变抛光凸元件几何特性分析)[J].激光与红外,2022(02):266-272
A类：
凸光学元件
B类：
Kahan,磁流变抛光,几何特性,抛光区域,高表面,表面完整性,曲率,嵌入深度,压力场,光过,中压,压力模型,数值方法,多场耦合,快速计算方法,下得,场分布,工艺规律,变深,深时,加时
AB值：
0.143788
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