典型文献
离子束抛光去除边界效应延拓修正研究
文献摘要：
针对离子束抛光光学元件过程中产生的边界效应问题,提出了基于多项式拟合延拓的抑制方法.利用多项式延拓方法对初始面形进行边界延拓,并对得到的延拓面形进行仿真,仿真后面形均方根值为5.20 nm.采用离子束抛光技术对100 mm 口径的K9光学元件进行加工,加工后的面形均方根值由19.26 nm降至12.23 nm.选取加工后的面形8％作为边界面形,边界面形均方根值由137.23 nm降至56.72 nm,通过仿真和实验,验证了该方法的可行性.该研究可以为光学加工提供一种新的方法.
文献关键词：
光学设计;离子束抛光;边界效应;边界延拓;多项式拟合
中图分类号：
作者姓名：
周迪;蒋世磊;孙国斌;康乐;刘卫国
作者机构：
西安工业大学光电工程学院,陕西西安710021
文献出处：
引用格式：
[1]周迪;蒋世磊;孙国斌;康乐;刘卫国-.离子束抛光去除边界效应延拓修正研究)[J].激光与光电子学进展,2022(13):346-351
A类：
边界延拓
B类：
离子束抛光,边界效应,光学元件,多项式拟合,抑制方法,后面,均方根值,抛光技术,口径,K9,工后,光学加工,光学设计
AB值：
0.2152
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