典型文献
浸没式光刻机浸液系统污染控制研究现状及进展
文献摘要：
浸没式光刻是实现5nm以上线宽高性能超大规模集成电路产品制造的关键技术.相比传统干式光刻,浸没式光刻需在末端物镜和硅片之间填充浸没液体.浸没液体的高折射率可以提高光刻机的数值孔径和曝光分辨率,但也对浸没式光刻的污染控制提出了挑战.为了减少曝光缺陷,提升曝光良率,需要对浸液系统中的各类污染物进行高精度检测与精准控制,以达到超洁净流控.从浸没式光刻技术的原理出发对比分析了干式光刻与浸没式光刻,概述了浸没式光刻机的发展历程,着重介绍了浸没式光刻浸液系统中几种污染物的产生机理、检测方法和控制手段,为进一步提高浸没式光刻芯片的曝光良品率提供了理论基础.
文献关键词：
浸没式光刻机;浸没系统;污染机理;污染检测;污染控制
中图分类号：
作者姓名：
付婧媛;苏芮;阮晓东;付新
作者机构：
浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室,浙江杭州310058
文献出处：
引用格式：
[1]付婧媛;苏芮;阮晓东;付新-.浸没式光刻机浸液系统污染控制研究现状及进展)[J].激光与光电子学进展,2022(09):244-257
A类：
浸没式光刻机,超洁净流控,浸没系统
B类：
浸液,系统污染,污染控制,5nm,线宽,超大规模集成电路,路产,产品制造,干式,物镜,硅片,浸没液,高折射率,数值孔径,曝光,光良,良率,高精度检测,精准控制,光刻技术,产生机理,控制手段,良品率,污染机理,污染检测
AB值：
0.249317
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