典型文献
一种基于n-ZnS/p-CuSCN纳米薄膜的高开关比和稳定性紫外光电探测器
文献摘要：
通过原位生长法制备了一种CuSCN纳米薄膜紫外光电探测器,在-1 V偏压下,入射光为350 nm时,CuSCN紫外光电探测器的开关比～94,响应/恢复时间～1.41 s/1.44 s.但这种器件仍不能称之为一种高性能的光电探测器.为进一步提高CuSCN纳米薄膜的光电性能,我们制备了一种基于n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜的紫外光电探测器,并对制备的样品进行了形貌、成分和性能分析.结果显示,在-1 V偏压下,入射波长为350 nm时,ZnS/CuSCN紫外光电探测器表现出比CuSCN紫外光电探测器更高的光电流和更低的暗电流,分别为1.22×10-5 A和4.8×10-9 A.基于ZnS/CuSCN纳米薄膜的紫外光电探测器开关比-2542,响应/恢复时间为0.47 s/0.48 s,在350 nm波长下具备最佳的响应度和探测率,分别为5.17 mA/W和1.32×1011 Jones.此外,n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜在室温下性能稳定,具有作为高性能紫外探测器的潜力.
文献关键词：
光电探测器;p-n结;ZnS/CuSCN;开关比
中图分类号：
作者姓名：
魏瑶琪;全家乐;赵庆强;邹明琛;韩三灿
作者机构：
上海理工大学 材料与化学学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]魏瑶琪;全家乐;赵庆强;邹明琛;韩三灿-.一种基于n-ZnS/p-CuSCN纳米薄膜的高开关比和稳定性紫外光电探测器)[J].发光学报,2022(06):911-921
A类：
B类：
ZnS,CuSCN,纳米薄膜,开关比,紫外光电探测器,原位生长法,偏压,入射光,恢复时间,称之为,光电性能,复合薄膜,入射波,光电流,暗电流,响应度,探测率,mA,Jones,紫外探测器
AB值：
0.167649
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