典型文献
采用GaN HEMT的可调窄脉冲激光器驱动电路
文献摘要：
为实现纳秒级的输出光脉宽,使用GaN HEMT作为激光器放电回路的开关管.由于GaN HMET的栅极总电荷小,提出使用小尺寸的GaN HEMT建立驱动电路的输入级,响应控制信号,控制放电回路开关管.搭建电路驱动860 nm激光器,并进行测试.放电回路电源电压为12 V,测试结果显示,最大输出光脉宽8.8 ns对应大于8 W的峰值功率,输出最小光脉宽为4 ns.为实现更大的脉宽可调范围,设计另一款电路并测试.该电路实现输出光脉宽大于8.4 ns可调,在电源电压20 V、输入信号脉宽100ns的条件下,输出光峰值功率可达46 W.电路尺寸分别为10mm×6mm和13 mm×11 mm,为实现进一步小型化,对设计的电路提出了集成方法.提出的电路结构简单、容易实现集成且成本低,为窄脉冲激光器驱动电路的设计提供了新的思路.
文献关键词：
半导体激光器;驱动电路;GaN HEMT;窄脉冲;小型化
中图分类号：
作者姓名：
杨仕轩;赵柏秦;王立晶;王宁
作者机构：
中国科学院半导体研究所,北京100083;中国科学院大学,北京100049;哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,黑龙江哈尔滨150001
文献出处：
引用格式：
[1]杨仕轩;赵柏秦;王立晶;王宁-.采用GaN HEMT的可调窄脉冲激光器驱动电路)[J].红外与激光工程,2022(10):136-143
A类：
HMET
B类：
GaN,HEMT,窄脉冲,脉冲激光器,驱动电路,纳秒级,脉宽,放电回路,栅极,电荷,出使,小尺寸,控制信号,电源电压,大输,峰值功率,电路实现,宽大,号脉,100ns,10mm,6mm,小型化,集成方法,电路结构,结构简单,半导体激光器
AB值：
0.292262
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