典型文献
氮化镓光阴极薄膜材料表面光电压谱特性
文献摘要：
在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试;对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表面光电压的影响,确定了多层结构氮化镓材料表面光电压产生机理;借助亚带隙激光辅助,针对均匀掺杂和?-掺杂氮化镓(GaN)光电阴极薄膜材料进行了表面光电压测试;实验数据表明,相较于均匀掺杂,?-掺杂可以获得更好生长质量,但也提高了在能级(Ev+0.65)eV～(Ev+1.07)eV范围的缺陷态密度.
文献关键词：
氮化镓;光阴极;表面光电压谱
中图分类号：
作者姓名：
高剑森;刘健
作者机构：
宿迁学院 信息工程学院,江苏 宿迁 223800;南京理工大学 电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094
文献出处：
引用格式：
[1]高剑森;刘健-.氮化镓光阴极薄膜材料表面光电压谱特性)[J].红外技术,2022(08):798-803
A类：
表面光电压谱,Ev+0,Ev+1
B类：
氮化镓,光阴极,薄膜材料,蓝宝石基底,外延生长,多层结构,电压测试,杂类,产生机理,带隙,激光辅助,GaN,光电阴极,生长质量,能级,eV,缺陷态密度
AB值：
0.224451
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