典型文献
载荷探测器像元满阱参数测试
文献摘要：
在CCD成像电路的研发过程中,为了确保CCD达到最优的满阱性能,需要不断调整CCD驱动信号参数并进行满阱测试,该过程通常需要重复几十甚至上百次.通用的光子转移曲线法需要积分球等设备搭建平场光源,系统复杂,满阱测试效率较低.提出了一种满阱测试方法——LED点测试法,该方法通过光子转移曲线法获取系统增益后,仅通过搭建LED点光源配合普通民品镜头即可实现CCD满阱测试.基于载荷CCD成像电路,使用LED点测试法进行测试.结果表明,载荷CCD的满阱电子数可达817.013ke-,误差不大于0.643％.针对LED点测试的同组数据采用传统满阱测试方法进行测试,对比结果表明,LED点测试法和传统测试方法相对光子转移曲线法的误差分别为0.0397％和1.9％.LED点测试法可用作简易条件下快速测量CCD满阱的通用方法,能够提升CCD成像电路的研发效率.
文献关键词：
电荷耦合器件;满阱容量;光子转移曲线;LED点测试法;数据拟合
中图分类号：
作者姓名：
常振;王煜;林方;赵欣;黄书华;司福祺
作者机构：
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所环境光学与技术重点实验室,安徽合肥230031;安徽大学物质科学与信息技术研究院信息材料与智能感知安徽省实验室,安徽合肥230039
文献出处：
引用格式：
[1]常振;王煜;林方;赵欣;黄书华;司福祺-.载荷探测器像元满阱参数测试)[J].光学精密工程,2022(13):1542-1554
A类：
光子转移曲线,013ke
B类：
探测器,参数测试,CCD,成像电路,研发过程,驱动信号,上百,百次,积分球,建平,测试效率,LED,测试法,点光源,民品,镜头,电子数,统测,快速测量,通用方法,研发效率,电荷耦合器件,满阱容量,数据拟合
AB值：
0.305169
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