典型文献
200～220 GHz平衡式高效率二倍频器
文献摘要：
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200～220 GHz的二倍频器.采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短路面处的阻抗失配;采用三维电磁场仿真与谐波仿真结合的方法对二倍频器进行仿真.制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率以及高/低温特性进行测试.测试结果表明该二倍频器在200～220 GHz的转换效率均大于10％,在215 GHz下实现了 13.5 mW的输出功率和23.6％的转换效率.该二倍频器具有宽频带、高转换效率以及高/低温工作稳定等特点,可应用于下一代太赫兹通信、雷达等设备.
文献关键词：
太赫兹;二倍频器;肖特基势垒二极管(SBD);GaAs;转换效率
中图分类号：
作者姓名：
马春雷;宋旭波;梁士雄;顾国栋;周幸叶;冯志红
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]马春雷;宋旭波;梁士雄;顾国栋;周幸叶;冯志红-.200～220 GHz平衡式高效率二倍频器)[J].半导体技术,2022(10):804-808
A类：
B类：
GHz,平衡式,二倍频器,GaAs,肖特基势垒二极管,SBD,工作频率,谐波,电路拓扑,拓扑结构,高转换效率,击穿电压,阳极,结结,高输出,输出功率,低阻,微带线,波导,短路,阻抗失配,电磁场仿真,低温特性,mW,宽频带,下一代,太赫兹通信
AB值：
0.234926
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