典型文献
用于超外差接收机提供本振源的高功率510 GHz单片集成三倍频器
文献摘要：
本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490～530 GHz单片集成三倍频器.基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率.同时,开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究,以便最大化提升倍频性能.最终,在大约80～200 mW的输入功率驱动下,研制的510 GHz三倍频,在490～530 GHz频率范围内,输出功率为4～16 mW,其中峰值倍频效率11％.在522 GHz频点处,该三倍频在218 mW的输入功率驱动下,产生16 mW的最大输出功率.该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源.
文献关键词：
电子技术;太赫兹倍频器;单片集成电路;肖特基二极管;本振源
中图分类号：
作者姓名：
何月;田遥岭;周人;蒋均;林长星;苏伟
作者机构：
中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心,四川成都610299;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900
文献出处：
引用格式：
[1]何月;田遥岭;周人;蒋均;林长星;苏伟-.用于超外差接收机提供本振源的高功率510 GHz单片集成三倍频器)[J].红外与毫米波学报,2022(05):863-870
A类：
相位平衡
B类：
超外差接收机,本振源,高功率,GHz,三倍频器,砷化镓,平衡结构,功率合成,旁路,直流偏置,倍频效率,容差,电气参数,mW,输入功率,功率驱动,中峰,频点,最大输出功率,THz,固态,混频器,电子技术,太赫兹倍频器,单片集成电路,肖特基二极管
AB值：
0.243354
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