典型文献
基于0.13 μm SiGe工艺的48～68 GHz四倍频器
文献摘要：
采用0.13μmSiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种应用于高速光通信的全集成注入锁定四倍频器芯片.该设计包括单端转差分放大器、注入锁定二倍频器(ILFD)以及分频器(Divider-by-2).测试结果表明,该四倍频器的输出锁定范围达到了 48～68 GHz,输出锁定在65 GHz时的谐波抑制比为36 dBc.芯片核心面积为0.36 mm2,在3.3 V供电电压下,核心功耗为247 mW.该设计可以满足下一代超高速光电互联芯片对高速时钟的应用需求.
文献关键词：
注入锁定;倍频器;四倍频器;锁定范围
中图分类号：
作者姓名：
赵振;杨浩然;唐人杰;王卡楠;桂小琰
作者机构：
西安交通大学电信学部,西安710049;西安交通大学微电子学院,西安710049
文献出处：
引用格式：
[1]赵振;杨浩然;唐人杰;王卡楠;桂小琰-.基于0.13 μm SiGe工艺的48～68 GHz四倍频器)[J].微电子学,2022(05):868-872
A类：
mSiGe,ILFD
B类：
GHz,四倍频器,BiCMOS,光通信,全集成,注入锁定,单端,转差,差分放大器,二倍频器,分频器,Divider,by,锁定范围,谐波抑制,dBc,mm2,供电电压,功耗,mW,足下,下一代,超高速,时钟,应用需求
AB值：
0.340971
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
