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InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备
文献摘要：
对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低.为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响.通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了 10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×1015 cm-3,迁移率＞4 500 cm2·V-1·s-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础.
文献关键词：
磷化铟(InP);半导体;多晶;合成;晶体生长
中图分类号：
作者姓名：
李艳江;王书杰;孙聂枫;陈春梅;付莉杰;姜剑;张晓丹
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]李艳江;王书杰;孙聂枫;陈春梅;付莉杰;姜剑;张晓丹-.InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备)[J].半导体技术,2022(08):625-629
A类：
气泡速率
B类：
InP,大容量,合成机理,机理分析,多晶,磷化铟,越快,熔体,物理条件,气体传输,输过,界面反应机理,合成条件,冒泡,合成过程,可控性,高纯,直拉法,提拉,载流子浓度,迁移率,大尺寸,单晶,晶体生长
AB值：
0.406347
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