典型文献
InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究
文献摘要：
室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级.该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源.文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了 InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了 Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了 Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上.这种Bi原子的富集分布阻碍了 PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响.研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础.
文献关键词：
铟磷铋;透射电子显微镜;三维原子探针;光致发光谱
中图分类号：
作者姓名：
张立瑶;姚爽;喻鹏;冯铎;代金梦;曹有祥
作者机构：
上海理工大学理学院物理系,上海200093
文献出处：
引用格式：
[1]张立瑶;姚爽;喻鹏;冯铎;代金梦;曹有祥-.InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究)[J].半导体光电,2022(05):898-902
A类：
InPBi,PIn,超辐射光源,铟磷铋
B类：
薄膜材料,结构性能,光学性能,光致发光光谱,宽光谱,光谱特性,能级,光学相干层析,透射电子显微镜,三维原子探针,极不,富集区,米面,载流子复合,超辐射发光二极管,光致发光谱
AB值：
0.191742
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