典型文献
基于二维磁性材料RuCl3的隧穿磁阻器件研究
文献摘要：
近年来,二维磁性材料的发现为理解低维磁性提供了新平台,也为低功耗自旋电子学器件研发开辟了新方向.本工作采用化学气相传输法(CVT)制备了一种新型二维磁性材料RuCl3,并基于RuCl3设计并制备了隧穿磁阻器件.隧穿磁阻器件室温下电阻仅为1.4kΩ,表明RuCl3在室温下具有导体行为;变温IV特性从线性行为向非线性隧穿行为的转变揭示了低温下RuCl3由导体向莫特绝缘体转变的相变现象.2K下隧穿磁阻随面内磁场B的变化呈现出负磁阻的现象,偏压0.9V时负磁阻TMR高达2400％,这主要源于自旋过滤效应.基于RuCl3的隧穿磁阻器件为深入理解低温磁场环境下RuCl3的磁结构以及层间相互作用提供了有力的输运手段,同时也为开发新型读出磁头、磁随机存储器(MRAM)提供了新途径.
文献关键词：
二维磁性材料RuCl3;隧穿磁阻器件;自旋过滤效应;负磁阻;自旋电子学
中图分类号：
作者姓名：
袁恺;胡欢;闵成彧;吴罚;毛亚会;程璐
作者机构：
联合微电子中心有限责任公司,重庆,400030
文献出处：
引用格式：
[1]袁恺;胡欢;闵成彧;吴罚;毛亚会;程璐-.基于二维磁性材料RuCl3的隧穿磁阻器件研究)[J].电子元器件与信息技术,2022(04):29-33
A类：
隧穿磁阻器件,自旋过滤,自旋过滤效应
B类：
二维磁性材料,RuCl3,低维,新平台,低功耗,自旋电子学,相传,CVT,4k,变温,IV,性行为,穿行,莫特,绝缘体,变现,2K,负磁阻,偏压,9V,TMR,磁场环境,磁结构,输运,开发新,读出,磁头,磁随机存储器,MRAM
AB值：
0.259887
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