典型文献
SnO2对低温烧结ZnBiMnNbO基高压压敏陶瓷的影响
文献摘要：
采用传统固相烧结工艺,在875℃低温保温3 h条件下制备了0％～0.75％(摩尔分数)SnO2掺杂ZnBiMnNbO基压敏陶瓷.采用高精度分析天平、XRD、SEM、EDS及高精度源表等研究了SnO2含量变化对所制备材料显微结构及电学特性的影响.结果表明:在所研究范围内,SnO2含量升高增大了材料的相对密度,并促进含铌Bi2 Sn2 O7焦绿石新相的形成.因此,材料的平均晶粒直径由4.38μm减小至4.04μm,压敏电压由727 V/mm升高到1024.37 V/mm,非线性系数由32.37提升至52.64,漏电流密度由13.5μA/cm2降低至1.55μA/cm2.研究结果可为低成本、高非线性、高压压敏陶瓷的研制提供借鉴.
文献关键词：
ZnBiMnNbO基压敏陶瓷;SnO2;低温烧结;高压
中图分类号：
作者姓名：
宋欢欢;赵鸣;崔文正;刘卓承;陈华;杜永胜
作者机构：
内蒙古科技大学白云鄂博矿多金属资源综合利用重点实验室,内蒙古 包头 014010;内蒙古科技大学理学院,内蒙古 包头 014010
文献出处：
引用格式：
[1]宋欢欢;赵鸣;崔文正;刘卓承;陈华;杜永胜-.SnO2对低温烧结ZnBiMnNbO基高压压敏陶瓷的影响)[J].材料导报,2022(17):66-70
A类：
ZnBiMnNbO
B类：
SnO2,低温烧结,压压,压敏陶瓷,固相烧结,烧结工艺,摩尔分数,精度分析,分析天平,EDS,含量变化,显微结构,电学特性,研究范围,相对密度,Bi2,Sn2,O7,晶粒,非线性系数,漏电流密度,高非线性
AB值：
0.35066
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