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一种高压电平位移电路设计
文献摘要：
伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件.因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用.本文基于高压BCD工艺,针对用于高压MOSFET半桥驱动电路中的高压电平位移电路进行了仿真设计.该电路能够有效提高器件控制能力,实现将低电源轨信号传输到浮动高电源轨,较普通电路而言大大降低了电路功耗,提高了电路的抗噪性能和稳定性能.
文献关键词：
半桥驱动电路;高压电平位移电路;LDMOS
中图分类号：
作者姓名：
何宁业;方昊;王云然
作者机构：
黄山学院信息工程学院,安徽黄山,245041
文献出处：
引用格式：
[1]何宁业;方昊;王云然-.一种高压电平位移电路设计)[J].电子测试,2022(09):9-12
A类：
高压电平位移电路,电平位移电路,半桥驱动电路
B类：
电路设计,半导体器件,制造工艺,MOSFET,功率器件,能耐,耐高压,热稳定性,电气设备,BCD,仿真设计,控制能力,信号传输,输到,浮动,通电,大大降低,功耗,抗噪性能,稳定性能,LDMOS
AB值：
0.274942
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