典型文献
低成本超宽带功率放大器芯片设计
文献摘要：
本文介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺实现的堆叠分布式单片微波集成电路功率放大器(PA)芯片.该PA芯片架构使用8个分布式单元,每个单元包含一组三堆叠晶体管.利用宽带RC均衡技术和自偏置堆叠放大技术,可以获得良好的增益平坦度和驻波特性,同时具有低成本、高线性度和高功率的优势.在0.2～22 GHz超宽带范围内,该芯片增益为15±1 dB,功率输出能力为30 dBm,OIP3指标为38 dBm,芯片尺寸为2mm×3.9mm.
文献关键词：
GaAs pHMET;超宽带放大器;高压技术;低成本
中图分类号：
作者姓名：
邬海峰;王测天;胡柳林;林倩
作者机构：
成都嘉纳海威科技有限责任公司,四川成都610000;青海民族大学,青海西宁810007
文献出处：
引用格式：
[1]邬海峰;王测天;胡柳林;林倩-.低成本超宽带功率放大器芯片设计)[J].模型世界,2022(19):61-63
A类：
pHMET
B类：
宽带功率放大器,芯片设计,GaAs,pHEMT,堆叠,单片微波集成电路,PA,三堆,晶体管,RC,均衡技术,自偏置,叠放,增益平坦度,驻波,波特,高线性度,高功率,GHz,功率输出,输出能力,dBm,OIP3,芯片尺寸,2mm,9mm,超宽带放大器,高压技术
AB值：
0.416012
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