典型文献
微系统TSV多物理场耦合分析及结构优化
文献摘要：
微系统技术是未来航空航天领域重点研究方向,硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术是其关键技术之一.目前,普遍采用单因素研究TSV多场耦合下的可靠性,其影响机理研究不够全面.针对此问题,采用有限元仿真分析手段,通过正交实验方法研究了不同直径和节距交互作用下TSV结构在电热耦合下的温度响应以及热力耦合下的应力响应情况.通过仿真结果分析了电热耦合下TSV直径与节距分别对其温升和局部热流密度的影响规律,基于函数推导解释了TSV温度随TSV直径变化的现象.分析了热力耦合条件下TSV直径与节距对其最大等效应力的影响规律,解释了TSV结构在径向出现应力叠加现象的原因.综合考虑电热耦合及热力耦合仿真结果,得到了2.5D微系统用TSV直径及节距的一般性设计建议.
文献关键词：
微系统;硅通孔;有限元仿真;电热耦合;热力耦合
中图分类号：
作者姓名：
张涛;王勇;冯长磊;周政;夏靖超;胡培峰
作者机构：
北京微电子技术研究所,北京100076
文献出处：
引用格式：
[1]张涛;王勇;冯长磊;周政;夏靖超;胡培峰-.微系统TSV多物理场耦合分析及结构优化)[J].导航与控制,2022(03):67-77
A类：
B类：
微系统,TSV,多物理场耦合,耦合分析,航空航天,航天领域,硅通孔,Through,Silicon,Via,多场耦合,有限元仿真分析,分析手段,正交实验,实验方法,不同直径,节距,电热耦合,温度响应,应力响应,仿真结果分析,热流密度,最大等效应力,应力叠加,热力耦合仿真,5D,一般性,设计建议
AB值：
0.301819
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
