典型文献
GaN功率器件抗干扰可靠性试验
文献摘要:
随着GaN功率器件的发展和其应用场景的多元化,GaN器件常在高电压和高温状态下工作,为确保设备正常工作并提高其工作寿命,对GaN功率器件异常工作状态下的可靠性的分析至关重要.为探索GaN功率器件在异常工作状态下的可靠性,本文进行了对某功率器件的电压拉偏试验、耐电压过冲能力试验和抗失配能力试验.分析了某功率器件在电压拉偏和电压过冲状态下的栅电流变化、输出功率变化、增益变化、功率附加效率变化和输出功率密度变化.也对其在失配状态下的杂波抑制度,输出功率和失配前后的功率变化量进行了分析.试验表明,该器件的电压拉偏能力和耐电压过冲能力都在正常工作电压的两倍以上,当漏极电压达到正常工作电压的近两倍时,器件工作正常,输出功率和增益均有小幅下降,效率下降至接近原来一半左右;在5:1和10:1抗失配工作条件下,被测器件在试验过程中均未发生烧毁,功率变化量均小于1 dB.
文献关键词:
GaN功率器件;可靠性;电压拉偏;电压过冲;抗失配能力
中图分类号:
作者姓名:
李嘉乐
作者机构:
吉林大学,长春 130000
文献出处:
引用格式:
[1]李嘉乐-.GaN功率器件抗干扰可靠性试验)[J].环境技术,2022(02):45-50
A类:
电压拉偏,抗失配能力
B类:
GaN,功率器件,可靠性试验,高电压,工作寿命,工作状态,拉偏试验,电压过冲,电流变化,功率附加效率,输出功率密度,杂波抑制,变化量,工作电压,两倍,小幅,一半左右,工作条件,试验过程,烧毁,dB
AB值:
0.227607
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