典型文献
内嵌横向PNP晶体管的新型静电放电双向防护器件
文献摘要：
提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR).对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究,内嵌横向PNP晶体管的引入,提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率,促进正反馈系统建立,同时引入两条新的电流泄放通路,抑制电导调制效应,提高了电流泄放能力.结果表明,与传统的DDSCR器件相比,PNP_DDSCR器件在传输线脉冲(TLP)测试仿真中触发电压下降了31％,维持电压提高了16.8％,ESD设计窗口优化44.5％,具有更低的导通电阻.快速传输线脉冲(VF-TLP)测试仿真结果表明,新结构器件对瞬态过冲电压有更好的钳位能力,同时保持了较大的开启速度,在VF-TLP应力0.1 A时,PNP_DDSCR器件的过冲电压仅为DDSCR器件的37％.
文献关键词：
静电防护;触发电压;维持电压
中图分类号：
作者姓名：
刘静;党跃栋;刘慧婷;赵岩
作者机构：
西安理工大学电子工程系,西安 710048
文献出处：
引用格式：
[1]刘静;党跃栋;刘慧婷;赵岩-.内嵌横向PNP晶体管的新型静电放电双向防护器件)[J].物理学报,2022(23):394-402
A类：
DDSCR
B类：
内嵌,PNP,晶体管,静电放电,防护器件,种内,ESD,新结构,响应过程,输运机制,寄生,正反馈,反馈系统,流泄,电导调制效应,泄放能力,传输线,TLP,真中,触发电压,维持电压,导通电阻,VF,瞬态,过冲电压,位能,静电防护
AB值：
0.302665
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