典型文献
自旋偏压驱动的硅烯和锗烯光控晶体管
文献摘要：
基于二维拓扑绝缘体硅烯和锗烯,理论上提出了一种适用于自旋偏压的光控晶体管.利用非平衡格林函数方法,计算了非共振圆偏振光场对硅烯和锗烯晶体管输出电流的影响.研究表明,硅(锗)烯的拓扑性质与漏极电流的输出特性均受控于入射圆偏振光场的手征性和强度.硅烯晶体管在较弱的左旋圆偏振光场和自旋偏压的作用下,可对外输出纯自旋流和完全极化的自旋向上的电流.在强场的作用下,硅烯边缘态发生相变形成带隙,晶体管处于截止状态,对外输出电流几乎为零.有别于硅烯晶体管,锗烯晶体管在较弱光场辐照条件下可以获得稳定的纯自旋流,在强场的作用下对外输出100％极化的自旋向下的电流.通过对中心器件区域同时施加不同手性的圆偏振光,利用非共振偏振光场诱导的边缘态相变和局域光场引起的能带失配可使锗烯晶体管由开态转换到关态.硅烯和锗烯光控晶体管处于开态时自旋相关电流的输出极值几乎相等,但是锗烯光控晶体管的击穿电压相较于硅烯晶体管有显著提高,锗烯光控晶体管可以在更高的温度保持有效的工作状态.
文献关键词：
光控晶体管;非共振圆偏振光;拓扑绝缘体
中图分类号：
作者姓名：
郑军;马力;李春雷;袁瑞旸;郭亚涛;付旭日
作者机构：
渤海大学物理科学与技术学院, 锦州 121013;首都师范大学初等教育学院, 北京 100048;首都师范大学物理系, 北京 100048
文献出处：
引用格式：
[1]郑军;马力;李春雷;袁瑞旸;郭亚涛;付旭日-.自旋偏压驱动的硅烯和锗烯光控晶体管)[J].物理学报,2022(19):355-362
A类：
锗烯,光控晶体管,非共振圆偏振光
B类：
偏压,压驱,硅烯,拓扑绝缘体,体硅,非平衡格林函数,格林函数方法,光场,输出电流,拓扑性质,输出特性,受控,入射,左旋,对外输出,自旋流,全极化,旋向,强场,边缘态,带隙,截止,有别于,弱光,辐照,对中心,手性,局域,失配,换到,极值,相等,击穿电压,管有,工作状态
AB值：
0.195353
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
