典型文献
22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究
文献摘要：
针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理.研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU性能优于其他两款SRAM;虽然DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU能力强,但读写错误致存储阵列MCU的影响不可忽略,且该影响随SRAM工作频率的提高愈加严重;衬底偏置通过对寄生双极放大效应的控制来影响FDSOI SRAM的SEU敏感性.
文献关键词：
单粒子效应;重离子;全耗尽绝缘体上硅;静态随机存储器
中图分类号：
作者姓名：
赵雯;赵凯;陈伟;沈鸣杰;王坦;郭晓强;贺朝会
作者机构：
西安交通大学 核科学与技术学院,陕西 西安 710049;强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,陕西 西安 710024;上海复旦微电子集团股份有限公司,上海 200433
文献出处：
引用格式：
[1]赵雯;赵凯;陈伟;沈鸣杰;王坦;郭晓强;贺朝会-.22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究)[J].原子能科学技术,2022(03):537-545
A类：
FDSOI,全耗尽绝缘体上硅,衬底偏置,SRAM2,SRAM1,SRAM3,SRAM4,SRAM5
B类：
22nm,单粒子效应,重离子,子实,静态随机存储器,加固设计,单粒子翻转,SEU,MCU,读写,写错,存储阵列,由弱到强,互锁结构,DICE,两款,工作频率,寄生,双极,放大效应
AB值：
0.173991
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