典型文献
新型高速单粒子翻转自恢复锁存器设计
文献摘要：
航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著.目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题.针对这些问题,提出了一款基于130nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD-SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器.在对电路设计进行介绍的基础上,与其他已经报道的电路进行了对比,并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能.对比结果表明,与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比,在牺牲部分功耗的代价下,大幅减小了锁存器的面积和延时.本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14％,适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路,为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择.
文献关键词：
部分耗尽绝缘体上硅;单粒子效应;单粒子翻转;辐射加固设计;辐射加固锁存器
中图分类号：
作者姓名：
刘中阳;张海能;杨旭;张正选;胡志远;毕大炜
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院大学,北京 100049;华天科技(昆山)电子有限公司,昆山 215300
文献出处：
引用格式：
[1]刘中阳;张海能;杨旭;张正选;胡志远;毕大炜-.新型高速单粒子翻转自恢复锁存器设计)[J].中国空间科学技术,2022(06):140-148
A类：
辐射加固锁存器,130nm,部分耗尽绝缘体上硅,APDP
B类：
单粒子翻转,自恢复,航天器,时钟,single,event,upset,SEU,时序逻辑,延时,功耗,partially,depleted,silicon,insulator,SOI,单粒子辐射,电路设计,波形验证,开销,辐射环境,宇航,高可靠,单粒子效应,辐射加固设计
AB值：
0.210801
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