典型文献
基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究
文献摘要：
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23％,最大的MCU为9位.对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT).发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8％增大至26％.结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析.最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法.
文献关键词：
大气中子;单粒子效应;高海拔;软错误率
中图分类号：
作者姓名：
张战刚;雷志锋;黄云;恩云飞;张毅;童腾;李晓辉;师谦;彭超;何玉娟;肖庆中;李键坷;路国光
作者机构：
工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广东 广州 511370;中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]张战刚;雷志锋;黄云;恩云飞;张毅;童腾;李晓辉;师谦;彭超;何玉娟;肖庆中;李键坷;路国光-.基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究)[J].原子能科学技术,2022(04):725-733
A类：
中子单粒子效应,软错误率
B类：
高海拔地区,大气中子,实时测量,大容量,静态随机存取存储器,SRAM,试验评价,评价技术,大面积器件,甄别,远程测控,单粒子翻转,MCU,热中子,封装,贡献比,中子通量,推演,演得,SBU,失效率,FIT,空处,版图,产生机理,策略优化
AB值：
0.258089
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
