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一种开关电容带隙基准电压源
文献摘要:
设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源.分析了 NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路.偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率.利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度.该电路基于0.35 μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9 μs;在-55~125℃,温度系数为1.38×10-5/℃;27℃下,在2.7~5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1 μA.
文献关键词:
带隙基准电压源;温度系数;线性调整率;开关漏电流;虚拟管
中图分类号:
作者姓名:
祝少良;李文昌;张铁良;赵进才;刘剑;尹韬
作者机构:
中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院大学,北京 100049;北京微电子技术研究所,北京 100076
文献出处:
引用格式:
[1]祝少良;李文昌;张铁良;赵进才;刘剑;尹韬-.一种开关电容带隙基准电压源)[J].半导体技术,2022(11):879-885
A类:
开关漏电流
B类:
开关电容,带隙基准电压源,线性调整率,NMOS,输出电压,偏置电路,共源共栅结构,电流镜,虚拟管,抵消,关断,沟道,电荷,时钟,路基,CMOS,工艺设计,建立时间,温度系数,电源电压,mV,静态电流
AB值:
0.254834
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