典型文献
基于Dongbu 180nm的雷达系统ADC设计
文献摘要：
阐述基于Dongbu180nm CMOS工艺,设计一款全差分带有冗余位12bit低速SAR ADC,相对于传统二进制电容阵列ADC,高位冗余分裂对建立误差、电容匹配性具有容错性,同时可以带来ADC性能上的提升.该ADC工作电压1.2V,设计精度分辨率为12bit,采样频率200ks/s.仿真结果表明有效位数达到11.4bit.
文献关键词：
集成电路设计;ADC;逐次逼近型;采样率;分辨率;有效位
中图分类号：
作者姓名：
张凯
作者机构：
上海电力大学,上海 201306
文献出处：
引用格式：
[1]张凯-.基于Dongbu 180nm的雷达系统ADC设计)[J].集成电路应用,2022(02):13-15
A类：
Dongbu,Dongbu180nm,12bit,200ks,4bit
B类：
雷达系统,ADC,CMOS,全差分,分带,余位,低速,SAR,二进制,电容阵列,匹配性,容错性,工作电压,2V,设计精度,采样频率,有效位数,集成电路设计,逐次逼近型,采样率
AB值：
0.367752
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