典型文献
基于故障注入的NOR Flash单粒子效应模拟方法研究
文献摘要：
针对目前大容量NOR Flash存储器单粒子效应模拟缺乏具体操作方法的问题,本文提出NOR Flash单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闭锁3种单粒子效应对应软件故障注入方法,设计适用于大容量器件的板级测试系统并进行功能验证,通过故障注入方法开展单粒子效应模拟实验.NOR Flash存储器单粒子效应测试系统包括FPGA控制逻辑、Flash检测板和上位机软件三部分.结果表明,单粒子翻转、单粒子闭锁和单粒子功能中断3种单粒子效应的软件故障注入方法均通过NOR Flash存储器单粒子效应测试系统得到验证.本文的研究可以为相关单粒子效应模拟提供参考,为分析存储器单粒子效应对电子系统的可靠性影响打下基础.
文献关键词：
NOR Flash;单粒子效应;故障注入;测试系统;模拟方法
中图分类号：
作者姓名：
黄姣英;何明瑞;袁伟;高成;王乐群
作者机构：
北京航空航天大学可靠性与系统工程学院 北京100191;陆军装备部驻北京地区第四军事代表室 北京100072
文献出处：
引用格式：
[1]黄姣英;何明瑞;袁伟;高成;王乐群-.基于故障注入的NOR Flash单粒子效应模拟方法研究)[J].电子测量技术,2022(13):65-70
A类：
B类：
故障注入,NOR,Flash,单粒子效应,大容量,存储器,具体操作,操作方法,单粒子翻转,单粒子功能中断,闭锁,软件故障,量器,板级,测试系统,功能验证,模拟实验,统包,FPGA,控制逻辑,上位机软件,三部分,拟提,电子系统,打下基础
AB值：
0.227028
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