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抗辐射高压集成电路技术现状与发展
文献摘要：
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影响严重且机理复杂.本文总结了高压集成电路辐射效应研究现状,围绕总剂量与单粒子效应,对高压集成器件与模拟集成电路的辐射影响、机理以及加固技术展开了介绍与总结.
文献关键词：
高压集成电路;高压集成器件;总剂量效应;单粒子效应;抗辐射加固
中图分类号：
作者姓名：
周锌;陈浪涛;乔明;罗萍;李肇基;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
文献出处：
引用格式：
[1]周锌;陈浪涛;乔明;罗萍;李肇基;张波-.抗辐射高压集成电路技术现状与发展)[J].微电子学与计算机,2022(10):1-16
A类：
高压集成器件
B类：
高压集成电路,技术现状,现状与发展,星链,划为,航天技术,技术推动,航天装备,电气化,模数,数字电路,临高,对性能影响,辐射效应,单粒子效应,模拟集成电路,辐射影响,加固技术,技术展,总剂量效应,抗辐射加固
AB值：
0.264942
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