典型文献
DDR存储器单粒子翻转试验及加固设计研究进展
文献摘要：
概述了国内外对DDR存储器单粒子翻转试验与加固设计的研究历史及现状,并对其未来趋势进行展望.国内外研究人员开展了许多DDR存储器单粒子翻转相关试验,对各代DDR存储器的单粒子翻转截面和翻转阈值进行统计对比.通过对试验过程及其结果进行分析总结,研究工艺制程、存储容量及辐射剂量与单粒子翻转截面间的关系,发现随着DDR存储器工艺尺度的缩小、存储容量的增大,其对单粒子翻转的敏感度也逐渐增大.现有的DDR存储器抗单粒子翻转加固主要分为工艺加固和设计加固,包括SOI工艺、版图加固、电路冗余和纠错码等.简述了各类加固方法的机理,分析了各类加固方法的优势及存在的不足,并重点介绍了更具有普适性的纠检错算法加固,包括片上纠错码和EDAC(Error Detection and Correction)IP核.通过对几种典型的纠错码在纠检错能力、时间延迟、面积开销和功耗上加以对比,发现SEC-DED(Single Error Correction-Double Error Detection)海明校验码可用于纠正单粒子单位翻转,正交拉丁方码在纠正单粒子多位翻转方面优势显著,这为后续提出新的DDR存储器抗单粒子翻转加固方法提供了思路.
文献关键词：
DDR;单粒子翻转;SEC-DED海明校验码;OLS码
中图分类号：
作者姓名：
贺振江;刘曦;王小珂
作者机构：
西安微电子技术研究所,陕西西安710054
文献出处：
引用格式：
[1]贺振江;刘曦;王小珂-.DDR存储器单粒子翻转试验及加固设计研究进展)[J].微电子学与计算机,2022(10):111-117
A类：
EDAC,正交拉丁方,多位翻转
B类：
DDR,存储器,加固设计,研究历史,未来趋势,翻转截面,试验过程,制程,存储容量,辐射剂量,单粒子翻转加固,工艺加固,SOI,版图加固,纠错码,加固方法,检错,Error,Detection,Correction,时间延迟,开销,功耗,SEC,DED,Single,Double,校验码,OLS
AB值：
0.226451
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