典型文献
嵌入式Flash读取加速技术研究
文献摘要：
嵌入式Flash由于成本、存储密度等优势日益成为微控制器中重要的程序、数据存储器.然而嵌入式Flash相对较慢的读取速度,制约着微控制器的整体性能,因而提升Flash中指令和数据的读取性能十分重要.为了提升微控制器中嵌入式Flash的读取性能,提出了一种基于缓存和预取的Flash控制器,并对当前缓存和预取的不足进行优化.针对现有缓存适配性差的问题,提出缓存行长自适应技术进行优化.针对传统方式访问组相联缓存时缺失代价和功耗高的问题,提出路命中预测技术进行优化.针对现有预取技术准确性低的问题,提出跨步预取技术进行优化.最后,设计并实现了一款嵌入式Flash控制器,并集成到SoC系统中,搭建了验证平台进行功能仿真和FPGA验证.实验结果表明,采用缓存行长自适应技术后,处理器读取嵌入式Flash的性能得到明显提升(103％);采用路命中预测技术后,处理器读取嵌入式Flash的性能得到进一步提升(2％).采用跨步预取技术后,DMA读取嵌入式Flash的性能得到明显提升(50％).
文献关键词：
嵌入式Flash;缓存;行长自适应;路命中预测;跨步预取
中图分类号：
作者姓名：
杨祎巍;杜俊慧;黄开天;匡晓云;王轲
作者机构：
南方电网科学研究院,广东广州510663;广东省电力系统网络安全企业重点实验室,广东广州510663;浙江大学信息与电子工程学院,浙江杭州310027;浙江大学电气工程学院,浙江杭州310027
文献出处：
引用格式：
[1]杨祎巍;杜俊慧;黄开天;匡晓云;王轲-.嵌入式Flash读取加速技术研究)[J].微电子学与计算机,2022(08):107-118
A类：
指令和数据,行长自适应,路命中预测,跨步预取
B类：
Flash,加速技术,存储密度,微控制器,数据存储,存储器,较慢,整体性能,读取性能,缓存,适配性,自适应技术,传统方式,相联,功耗,预测技术,SoC,验证平台,FPGA,处理器,DMA
AB值：
0.201446
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