典型文献
STT-MRAM存储器抗磁场干扰能力研究
文献摘要：
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)作为一种新型非易失存储器,具有低功耗、读写速度快及与传统CMOS工艺兼容等特点,可作为Flash和静态随机存取存储器(SRAM)的理想替代品.STT-MRAM存储器的存储单元结构为磁性隧道结(MTJ),该结构由磁性材料组成,其单元特性参数易受外部磁场的干扰,因此,需要对STT-MRAM存储器的抗磁场干扰能力进行评估.通过对STT-MRAM存储单元工作机制的深入研究,分析了 STT-MRAM在读写过程中受外部磁场的干扰程度,提出了一种STT-MRAM抗磁场干扰能力试验方法,设计并搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的STT-MRAM抗磁场干扰能力试验平台,进行了 STT-MRAM存储器的抗磁干扰能力试验.试验结果表明,STT-MRAM存储器的写入过程易受外界磁场的干扰,当超过临界磁场强度45 Gs时,测试芯片出现写入错误,随着外加磁场的增大,错误数量呈指数形式增长;而STT-MRAM存储器的读取过程受外界磁场的干扰程度较低,测试芯片的抗磁场干扰能力可达500 Gs.
文献关键词：
非易失性;自旋转移力矩磁随机存储器;磁性隧道结;抗磁场干扰;存储器测试
中图分类号：
作者姓名：
申浩;王超;孙杰杰
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所 无锡214000
文献出处：
引用格式：
[1]申浩;王超;孙杰杰-.STT-MRAM存储器抗磁场干扰能力研究)[J].国外电子测量技术,2022(01):118-122
A类：
抗磁场干扰,自旋转移力矩磁随机存储器,磁性隧道结,VIRTEX4,存储器测试
B类：
STT,MRAM,干扰能力,能力研究,非易失存储器,低功耗,读写,CMOS,工艺兼容,Flash,静态随机存取存储器,SRAM,替代品,存储单元,单元结构,MTJ,磁性材料,材料组成,特性参数,外部磁场,在读,干扰程度,Xilinx,FPGA,试验平台,磁干扰,写入,外界磁场,磁场强度,Gs,外加磁场,读取,非易失性
AB值：
0.222819
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