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1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器电学性能退化的研究
文献摘要：
通过设计合理的实验方案,对1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器后电学性能的变化规律进行了实验研究,在实验中,对硅基APD探测器被激光辐照前后的暗电流和响应度进行了监测.研究发现:随着激光功率密度的增加,硅基APD探测器的实际响应度逐渐减小,但硅基APD探测器的测量响应度逐渐变大,并且和暗电流增大的趋势十分相近,因此,可认为随着激光功率密度的增加,在测试输出电流中暗电流作用逐渐大于光电流作用,即硅基APD探测器的暗电流升高是造成其测量响应度增大的主要原因,并且对此现象给出了合理解释.
文献关键词：
硅基APD探测器;1064 nm连续激光;暗电流;响应度
中图分类号：
作者姓名：
方飞超;王頔;魏智;金光勇;张艳鹏
作者机构：
长春理工大学 物理学院,长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]方飞超;王頔;魏智;金光勇;张艳鹏-.1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器电学性能退化的研究)[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2022(04):25-30
A类：
B类：
连续激光,激光辐照,硅基,APD,探测器,电学性能,性能退化,实验方案,暗电流,响应度,激光功率密度,输出电流,光电流
AB值：
0.16552
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