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碲镉汞APD焦平面技术研究
文献摘要：
采用LPE生长的中波碲镉汞材料,通过B离子注入n-on-p平面结技术制备了规模为256×256,像元中心距为30μm的碲镉汞APD焦平面探测器芯片.在液氮温度下对其增益、暗电流以及过噪因子等性能参数进行了测试分析,结果表明,所制备的碲镉汞APD焦平面芯片在-8.5 V反偏下平均增益达到166.8,增益非均匀性为3.33％;在0～-8.5 V反向偏置下,APD器件增益归一化暗电流为9.0×10-14～1.6×10-13 A,过噪因子F介于1.0～1.5之间.此外,还对碲镉汞APD焦平面进行了成像演示,并获得了较好的成像效果.
文献关键词：
碲镉汞;APD;增益;暗电流;过噪因子
中图分类号：
作者姓名：
李雄军;张应旭;陈虓;李立华;赵鹏;杨振宇;杨东;姜炜波;杨鹏伟;孔金丞;赵俊;姬荣斌
作者机构：
昆明物理研究所,云南昆明650223;华中科技大学,湖北武汉430074
文献出处：
引用格式：
[1]李雄军;张应旭;陈虓;李立华;赵鹏;杨振宇;杨东;姜炜波;杨鹏伟;孔金丞;赵俊;姬荣斌-.碲镉汞APD焦平面技术研究)[J].红外与毫米波学报,2022(06):965-971
A类：
过噪因子,成像演示
B类：
碲镉汞,APD,LPE,中波,离子注入,on,结技术,中心距,焦平面探测器,液氮,暗电流,性能参数,测试分析,偏下,非均匀性,偏置,成像效果
AB值：
0.24997
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