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超薄硅片制备工艺的优化
文献摘要：
对超薄硅片制备工艺机理进行了优化研究.利用胶粘键合工艺在基片上固定保护硅片,提高了硅片承受工艺加工的机械性能.再结合化学机械抛光工艺,对比不同粘合剂的制备效果和不同压力制备的超薄硅表面粗糙度的变化,成功制备出厚度10μm左右的超薄硅片.表面形貌表征结果显示,硅片总厚度偏差为约0.5μm,平均粗糙度值为0.5 nm,这表明使用化学机械研磨抛光的工艺方法,优化减薄条件下,可保证硅片表面情况.研究结果将为硅半导体器件的微型化发展和性能提升提供了工艺指导.
文献关键词：
超薄硅片;化学机械研磨抛光;表面形貌;总厚度偏差;表面粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
汲国鑫;宋德;陈卫军
作者机构：
长春理工大学 物理学院,长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]汲国鑫;宋德;陈卫军-.超薄硅片制备工艺的优化)[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2022(02):1-5
A类：
超薄硅片,薄硅片,总厚度偏差,化学机械研磨抛光
B类：
制备工艺,胶粘,键合,基片,工艺加工,机械性能,化学机械抛光,抛光工艺,粘合剂,表面粗糙度,表面形貌,形貌表征,粗糙度值,工艺方法,减薄,半导体器件,微型化,性能提升
AB值：
0.18266
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