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高气密性芯片级原子气室的制备研究
文献摘要：
高性能芯片级原子气室的制备是现阶段芯片级量子传感仪器研制急需解决的关键技术之一.为解决目前芯片级原子气室研制领域存在的碱金属定量填充难、气密性差等问题,开展了高气密性芯片级原子气室制备方法研究,利用微电子机械系统(MEMS)技术实现了芯片级原子气室的批量制备.采用深硅刻蚀技术制备硅气室腔,利用RbN3的光分解实现碱金属单质的制备及定量填充,采用阳极键合技术对原子气室进行两次硅片/玻璃键合封装,成功获得了以N2为缓冲气体的Rb碱金属原子气室.对所制备的原子气室进行键合强度、气密性、吸收光谱测试,结果表明原子气室的玻璃/硅片/玻璃键合强度均较高,其中B组原子气室的漏气率平均值为2.2×10-9 Pa?m3?s-1,其气密性为目前行业内领先水平.最后从制备工艺上分析了两组原子气室的性能差异原因,为推动量子传感仪器的芯片级集成技术发展奠定重要基础.
文献关键词：
芯片级原子气室;芯片级传感器;叠氮化铷;阳极键合;气密性
中图分类号：
作者姓名：
刘雅丽;李维;李昱东;李小宽;冯梁森;李新良
作者机构：
航空工业北京长城计量测试技术研究所计量与校准技术重点实验室,北京100095
文献出处：
引用格式：
[1]刘雅丽;李维;李昱东;李小宽;冯梁森;李新良-.高气密性芯片级原子气室的制备研究)[J].计测技术,2022(04):51-56
A类：
芯片级原子气室,RbN3,阳极键合,芯片级传感器,叠氮化铷
B类：
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AB值：
0.185921
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